SI8802DB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8802DB-T2-E1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT

在产4-XFBGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs54mOhm @ 1A, 4.5V
基础料号SI8802
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6.5 nC @ 4.5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id700mV @ 250µA

电气

漏源电压8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3A (Ta)
最大功耗500mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case4-XFBGA
供应商器件封装4-Microfoot

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)