SI8481DB-T1-E1

Name: SI8481DB-T1-E1
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 9.7A 4MICRO FOOT

在产4-UFBGA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	21mOhm @ 3A, 4.5V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	47 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2500 pF @ 10 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET® Gen III
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	900mV @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	9.7A (Tc)
最大功耗	2.8W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)