SI8466EDB-T2-E1

Name: SI8466EDB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 8V 4MICROFOOT

在产4-UFBGA, WLCSP模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	43mOhm @ 2A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	710 pF @ 4 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±5V
Vgs(th) (Max) @ Id	700mV @ 250µA

漏源电压	8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.2V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.6A (Ta)
最大功耗	780mW (Ta), 1.8W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)