SI8407DB-T2-E1

Vishay Siliconix

SI8407DB-T2-E1

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 5.8A 6MICRO FOOT

停产/老旧6-MICRO FOOT®CSP模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 1A, 4.5V
基础料号SI8407
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 4.5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 350µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A (Ta)
最大功耗1.47W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case6-MICRO FOOT®CSP
供应商器件封装6-Micro Foot™ (2.4x2)

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)