SI8406DB-T2-E1

Name: SI8406DB-T2-E1
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 16A 6MICRO FOOT

在产6-UFBGA模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 1A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	20 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	830 pF @ 10 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	850mV @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16A (Tc)
最大功耗	2.77W (Ta), 13W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)