SI8404DB-T1-E1

Vishay Siliconix

SI8404DB-T1-E1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 8V 12.2A 4MICROFOOT

停产/老旧4-XFBGA, CSPBGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs31mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1950 pF @ 4 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±5V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.2A (Tc)
最大功耗2.78W (Ta), 6.25W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case4-XFBGA, CSPBGA
供应商器件封装4-Microfoot

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)