SI8402DB-T1-E1

Vishay Siliconix

SI8402DB-T1-E1

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 5.3A 2X2 4-MFP

停产/老旧4-XFBGA, CSPBGA模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs37mOhm @ 1A, 4.5V
基础料号SI8402
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 4.5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A (Ta)

机械

封装Cut Tape (CT)
Package / Case4-XFBGA, CSPBGA
供应商器件封装4-Microfoot