SI7844DP-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI7844DP-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 6.4A PPAK SO-8

停产/老旧PowerPAK® SO-8 Dual模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 10A, 10V
基础料号SI7844
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.4V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.4A
Power - Max1.4W

机械

封装Cut Tape (CT)
Package / CasePowerPAK® SO-8 Dual
供应商器件封装PowerPAK® SO-8 Dual