SI7802DN-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7802DN-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 250V 1.24A PPAK

停产/老旧PowerPAK® 1212-8模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs435mOhm @ 1.95A, 10V
基础料号SI7802
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 10 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.6V @ 250µA

电气

漏源电压250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.24A (Ta)
最大功耗1.5W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)