SI7655DN-T1-GE3

Name: SI7655DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 40A PPAK1212-8S

在产PowerPAK® 1212-8S模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.6mOhm @ 20A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	225 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	6600 pF @ 10 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.1V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	40A (Tc)
最大功耗	4.8W (Ta), 57W (Tc)

工作温度	-50°C~150°C(TJ)