SI7620DN-T1-GE3

Name: SI7620DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 150V 13A PPAK1212-8

停产/老旧PowerPAK® 1212-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	126mOhm @ 3.6A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	600 pF @ 75 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA

漏源电压	150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13A (Tc)
最大功耗	3.8W (Ta), 5.2W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)