SI7469ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SI7469ADP-T1-RE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 80V 7.4A/46A PPAK

在产PowerPAK® SO-8模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs19.3mOhm @ 10A, 10V
基础料号SI7469
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3420 pF @ 40 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET® Gen IV
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.6V @ 250µA

电气

漏源电压80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.4A (Ta), 46A (Tc)
最大功耗5W (Ta), 73.5W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
供应商器件封装PowerPAK® SO-8

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)