SI7431DP-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7431DP-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 200V 2.2A PPAK SO-8

在产PowerPAK® SO-8模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs174mOhm @ 3.8A, 10V
基础料号SI7431
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs135 nC @ 10 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A (Ta)
最大功耗1.9W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
供应商器件封装PowerPAK® SO-8

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)