SI7403BDN-T1-E3

Vishay Siliconix

SI7403BDN-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 8A PPAK1212-8

停产/老旧PowerPAK® 1212-8模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs74mOhm @ 5.1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs15 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds430 pF @ 10 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Tc)
最大功耗3.1W (Ta), 9.6W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® 1212-8
供应商器件封装PowerPAK® 1212-8

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)