SI7317DN-T1-GE3

Name: SI7317DN-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 150V 2.8A PPAK1212-8

在产PowerPAK® 1212-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.2Ohm @ 500mA, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	9.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	365 pF @ 75 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±30V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.5V @ 250µA

漏源电压	150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	2.8A (Tc)
最大功耗	3.2W (Ta), 19.8W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)