SI7190ADP-T1-RE3

Name: SI7190ADP-T1-RE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK

在产PowerPAK® SO-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	102mOhm @ 4.3A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	22.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	860 pF @ 100 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	ThunderFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.3A (Ta), 14.4A (Tc)
最大功耗	5W (Ta), 56.8W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)