SI7172DP-T1-GE3

Name: SI7172DP-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 25A PPAK SO-8

在产PowerPAK® SO-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	70mOhm @ 5.9A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	77 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2250 pF @ 100 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	25A (Tc)
最大功耗	5.4W (Ta), 96W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)