SI7172ADP-T1-RE3

Vishay Siliconix

SI7172ADP-T1-RE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V PPAK SO-8

在产PowerPAK® SO-8模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs50mOhm @ 10A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs19.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1110 pF @ 100 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.1V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)7.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A (Ta), 17.2A (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® SO-8
供应商器件封装PowerPAK® SO-8

环境

工作温度-55°C~125°C