SI7113DN-T1-E3

Name: SI7113DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 100V 13.2A PPAK

在产PowerPAK® 1212-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	134mOhm @ 4A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1480 pF @ 50 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	13.2A (Tc)
最大功耗	3.7W (Ta), 52W (Tc)

工作温度	-50°C~150°C(TJ)