SI7104DN-T1-E3

Name: SI7104DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 12V 35A PPAK 1212-8

在产PowerPAK® 1212-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.7mOhm @ 26.1A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2800 pF @ 6 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.8V @ 250µA

漏源电压	12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
最大功耗	3.8W (Ta), 52W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)