SI7100DN-T1-E3

Name: SI7100DN-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 8V 35A PPAK1212-8

停产/老旧PowerPAK® 1212-8模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 15A, 4.5V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	105 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3810 pF @ 4 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Obsolete
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

漏源电压	8 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	35A (Tc)
最大功耗	3.8W (Ta), 52W (Tc)

工作温度	-50°C~150°C(TJ)