SI6913DQ-T1-BE3

Vishay Siliconix

SI6913DQ-T1-BE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP

在产8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs21mOhm @ 5.8A, 4.5V
基础料号SI6913
配置2 P-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28nC @ 4.5V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 400µA

电气

漏源电压12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.9A (Ta)
Power - Max830mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商器件封装8-TSSOP

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)