SI6473DQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6473DQ-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8TSSOP

停产/老旧8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5mOhm @ 9.5A, 4.5V
基础料号SI6473
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id450mV @ 250µA (Min)

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.2A (Ta)
最大功耗1.08W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商器件封装8-TSSOP

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)