SI6463BDQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6463BDQ-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 6.2A 8-TSSOP

停产/老旧8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 7.4A, 4.5V
基础料号SI6463
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs60 nC @ 5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.2A (Ta)

机械

封装Cut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商器件封装8-TSSOP