SI6435ADQ-T1-E3

Vishay Siliconix

SI6435ADQ-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-TSSOP

停产/老旧8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.5A, 10V
基础料号SI6435
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA (Min)

电气

漏源电压30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.7A (Ta)

机械

封装Cut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
供应商器件封装8-TSSOP