通用
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.5mOhm @ 9.5A, 4.5V |
|---|---|
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 110 nC @ 5 V |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 400µA |
技术规格
来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
电气
| 漏源电压 | 12 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 8.2A (Ta) |
| 最大功耗 | 1.05W (Ta) |
机械
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
环境
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
|---|