SI6423ADQ-T1-GE3

Name: SI6423ADQ-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET PCH 20V 10.3/12.5A 8TSSOP

在产8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	9.8mOhm @ 10A, 4.5V
基础料号	SI6423
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	168 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	5875 pF @ 10 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±8V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA

漏源电压	20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.3A (Ta), 12.5A (Tc)
最大功耗	1.5W (Ta), 2.2W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)