SI5999EDU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5999EDU-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

停产/老旧PowerPAK® ChipFET™ Dual模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 3.5A, 4.5V
基础料号SI5999
配置2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds496pF @ 10V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态停产/老旧
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A
Power - Max10.4W

机械

Package / CasePowerPAK® ChipFET™ Dual
供应商器件封装PowerPAK® ChipFet Dual

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)