SI5902BDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5902BDC-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8

已停产8-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs65mOhm @ 3.1A, 10V
基础料号SI5902
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 15V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态Last Time Buy
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
Power - Max3.12W

机械

Package / Case8-SMD, Flat Leads
供应商器件封装1206-8 ChipFET™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)