SI5857DU-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5857DU-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 6A PPAK CHIPFET

停产/老旧PowerPAK® ChipFET™ Single模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs58mOhm @ 3.6A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds480 pF @ 10 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列LITTLE FOOT®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
最大功耗2.3W (Ta), 10.4W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® ChipFET™ Single
供应商器件封装PowerPAK® ChipFET™ Single

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)