SI5853CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5853CDC-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 4A 1206-8

停产/老旧8-SMD, Flat Lead模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs104mOhm @ 2.5A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 10 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列LITTLE FOOT®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Tc)
最大功耗1.5W (Ta), 3.1W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
供应商器件封装1206-8 ChipFET™

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)