SI5513CDC-T1-E3

Vishay Siliconix

SI5513CDC-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.7A 1206-8

在产8-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs55mOhm @ 4.3A, 4.5V
基础料号SI5513
配置N and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds285pF @ 10V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A, 3.7A
Power - Max3.1W

机械

Package / Case8-SMD, Flat Leads
供应商器件封装1206-8 ChipFET™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)