SI5471DC-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5471DC-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 6A 1206-8

在产8-SMD, Flat Leads模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 9.1A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2945 pF @ 10 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Tc)
最大功耗2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

机械

Package / Case8-SMD, Flat Leads
供应商器件封装1206-8 ChipFET™

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)