SI5448DU-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI5448DU-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 40V 25A PPAK

在产PowerPAK® ChipFET™ Single模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.75mOhm @ 15A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1765 pF @ 20 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)+20V, -16V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

电气

漏源电压40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C25A (Tc)
最大功耗31W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CasePowerPAK® ChipFET™ Single
供应商器件封装PowerPAK® ChipFet Single

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)