SI5403DC-T1-GE3

Name: SI5403DC-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 6A 1206-8

在产8-SMD, Flat Lead模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	30mOhm @ 7.2A, 10V
FET Type	P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1340 pF @ 15 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	3V @ 250µA

漏源电压	30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Tc)
最大功耗	2.5W (Ta), 6.3W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)