SI4966DY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4966DY-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 7.1A, 4.5V
基础料号SI4966
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50nC @ 4.5V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态停产/老旧
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20V
Power - Max2W

机械

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)