SI4936CDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4936CDY-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8SOIC

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs40mOhm @ 5A, 10V
基础料号SI4936
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds325pF @ 15V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR)
产品状态在产
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.8A
Power - Max2.3W

机械

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)