SI4845DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4845DY-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 2.7A 8SO

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs210mOhm @ 2A, 4.5V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds312 pF @ 10 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列LITTLE FOOT®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.7A (Tc)
最大功耗1.75W (Ta), 2.75W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)