SI4831BDY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4831BDY-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SO

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 5A, 10V
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds625 pF @ 15 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列LITTLE FOOT®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.6A (Tc)
最大功耗2W (Ta), 3.3W (Tc)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)