SI4808DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4808DY-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 7.5A, 10V
基础料号SI4808
配置2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20nC @ 10V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列LITTLE FOOT®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id800mV @ 250µA (Min)

电气

漏源电压30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.7A
Power - Max1.1W

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)