SI4668DY-T1-E3

Name: SI4668DY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 25V 16.2A 8SO

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	10.5mOhm @ 15A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1654 pF @ 15 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±16V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.6V @ 250µA

漏源电压	25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	16.2A (Tc)
最大功耗	2.5W (Ta), 5W (Tc)

工作温度	-55°C~150°C(TJ)