SI4491EDY-T1-GE3

Vishay Siliconix

SI4491EDY-T1-GE3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 30V 17.3A 8SO

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.5mOhm @ 13A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs153 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4620 pF @ 15 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
包装Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态在产
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id2.8V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17.3A (Ta)
最大功耗3.1W (Ta), 6.9W (Tc)

机械

Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C ~ 150°C (TJ)