来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 14A, 4.5V |
|---|---|
| 基础料号 | SI4465 |
| FET Type | P-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 85 nC @ 4.5 V |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 安装类型 | Surface Mount |
| Product Status | Active |
| 系列 | TrenchFET® |
| 技术 | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±8V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
| 漏源电压 | 8 V |
|---|---|
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 13.7A (Ta), 20A (Tc) |
| 最大功耗 | 3W (Ta), 6.5W (Tc) |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
|---|---|
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
| 工作温度 | -55°C~150°C(TJ) |
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