SI4462DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4462DY-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 200V 1.15A 8-SOIC

停产/老旧8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs480mOhm @ 1.5A, 10V
基础料号SI4462
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9 nC @ 10 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压200 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.15A (Ta)

机械

封装Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC