SI4442DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4442DY-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 30V 15A 8SO

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.5mOhm @ 22A, 10V
基础料号SI4442
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 4.5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

电气

漏源电压30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15A (Ta)
最大功耗1.6W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)