SI4434DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4434DY-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 250V 2.1A 8SO

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs155mOhm @ 3A, 10V
基础料号SI4434
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs50 nC @ 10 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

电气

漏源电压250 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.1A (Ta)
最大功耗1.56W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)