SI4423DY-T1-E3

Vishay Siliconix

SI4423DY-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET P-CH 20V 10A 8SO

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs7.5mOhm @ 14A, 4.5V
基础料号SI4423
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs175 nC @ 5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusActive
系列TrenchFET®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 600µA

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
最大功耗1.5W (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装8-SOIC

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)