SI4136DY-T1-GE3

Name: SI4136DY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 46A 8SO

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	2mOhm @ 15A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	4560 pF @ 10 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
包装	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
产品状态	在产
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 250µA

漏源电压	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	46A (Tc)
最大功耗	3.5W (Ta), 7.8W (Tc)

Package / Case	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供应商器件封装	8-SOIC

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)