SI4090BDY-T1-GE3

Name: SI4090BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Siliconix

模拟与电源

N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFET SO

在产8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)模拟与电源

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

Rds On (Max) @ Id, Vgs	10mOhm @ 12.2A, 10V
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3570 pF @ 50 V
制造商	Vishay Siliconix
安装类型	Surface Mount
Product Status	Active
系列	TrenchFET®
技术	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±20V
Vgs(th) (Max) @ Id	4V @ 250µA

漏源电压	100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	12.2A (Ta), 18.7A (Tc)
最大功耗	3.1W (Ta), 7.4W (Tc)

工作温度	-55°C ~ 150°C (TJ)