SI3812DV-T1-E3

Vishay Siliconix

SI3812DV-T1-E3

Datasheet

模拟与电源

MOSFET N-CH 20V 2A 6TSOP

停产/老旧SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6模拟与电源

技术规格

来自已导入产品 Attributes 的结构化电气、机械和环境参数。

通用

Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 2.4A, 4.5V
基础料号SI3812
FET FeatureSchottky Diode (Isolated)
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4 nC @ 4.5 V
制造商Vishay Siliconix
安装类型Surface Mount
Product StatusObsolete
系列LITTLE FOOT®
技术MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id600mV @ 250µA (Min)

电气

漏源电压20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2A (Ta)
最大功耗830mW (Ta)

机械

封装Tape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商器件封装6-TSOP

环境

工作温度-55°C~150°C(TJ)